Saat noutopistetoimituksen veloituksetta*, kun tilauksesi arvo ylittää 39 €!
*Koskee yksityisasiakkaiden tilauksia, jotka toimitetaan Suomeen.
|
|

avaa valikko

Transistorverstärker - Technische Grundlagen
48,10 €
Springer Fachmedien Wiesbaden
Sivumäärä: 244 sivua
Asu: Pehmeäkantinen kirja
Painos: 4., überarb., erw. A
Julkaisuvuosi: 1989, 01.10.1989 (lisätietoa(avautuu ponnahdusikkunassa))
Kieli: Saksa
Tuotesarja: Teubner Studienskripte Technik
1. Z?hlrichtungen und Vorzeichen f?r Transistorstr?me und -Spannungen.- 2. Transistor-Grundschaltungen.- 3. Transistor-Kennlinien.- 4. Bezeichnungsschema f?r Transistoren.- 5. Grundlegende Gleich- und Wechselstromeigenschaften.- 5.1. Wechselstrom-Arbeitswiderstand.- 5.2. Wechselstrom-Eingangswiderstand.- 5.3. Gleichstromwiderst?nde.- 5.4. Gleichstromverst?rkung.- 5.5. Wechselstromverst?rkung.- 5.6. Steilheit in Emitter-Schaltung.- 5.7. Spannungsr?ckwirkung.- 5.8. Darstellung der Kenngr??en im Datenbuch.- 5.9. N?herungsformeln f?r die Praxis.- 6. Arbeitsgerade.- 6.1. Gleichstrom-Arbeitsgerade.- 6.2. Wechselstrom-Arbeitsgerade.- 7. Dynamische Kennlinie.- 8. Verlustleistung und Kristalltemperatur.- 8.1. Allgemeine Grundlagen.- 8.2. Dimensionierung von K?hlblechen.- 8.3. Station?re Verlustleistung.- 8.4. Verlustleistungshyperbel.- 8.5. Berechnungsbeispiele.- 8.6. Oberfl?chenmontierte Transistoren.- 9. Reststr?me.- 10. Einstellung und Stabilisierung des Transistor-Arbeitspunktes.- 10.1. Konstante Versorgungsspannung UBE und UCE.- 10.2. Prinzip der "halben Speisespannung".- 10.3. Gleichstrom-Gegenkopplung und niederohmiger Basis-Spannungsteiler.- 10.4. Basisvorwiderstand.- 10.5. Kollektor-Basis-Widerstand.- 10.6. Basisspannungsteiler mit NTC-Widerstand.- 10.7. Arbeitspunktstabilisierung mit einer Diode.- 11. Arbeitsbereiche, Grenzdaten, Durchbruch.- 11.1. Arbeitsbereiche des Transistors.- 11.2. Grenzdaten, erster und zweiter Durchbruch.- 11.3. Erlaubter Arbeitsbereich.- 11.4. Zur Wahl des Arbeitspunktes.- 12. Feldeffekttransistoren.- 12.1. Sperrschicht-Feldeffekttransistoren.- 12.2. MOS-Feldeffekttransistoren.- 12.3. Einteilung der FET-Typen.- 12.4. Temperaturverhalten.- 12.5. Arbeitspunkteinstellung.- Liste der wichtigsten Formelzeichen.

LISÄÄ OSTOSKORIIN
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
Tilaustuote(avautuu ponnahdusikkunassa)
Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 4-5 viikossa | 🎄 Tämä tuote ehtii jouluksi, kun teet tilauksen viimeistään 30.11.2025
Transistorverstärker - Technische Grundlagen
Näytä kaikki tuotetiedot
ISBN:
9783519300625