Saat noutopistetoimituksen veloituksetta*, kun tilauksesi arvo ylittää 59 €!
*Koskee yksityisasiakkaiden tilauksia, jotka toimitetaan Suomeen.
|
|

avaa valikko

Multi-run Memory Tests for Pattern Sensitive Faults
51,10 €
Springer International Publishing AG
Sivumäärä: 135 sivua
Asu: Kovakantinen kirja
Painos: 1st ed. 2019
Julkaisuvuosi: 2018, 18.07.2018 (lisätietoa)
Kieli: Englanti
This book describes efficient techniques for production testing as well as for periodic maintenance testing (specifically in terms of multi-cell faults) in modern semiconductor memory.  The author discusses background selection and address reordering algorithms in multi-run transparent march testing processes. Formal methods for multi-run test generation and many solutions to increase their efficiency are described in detail. All methods presented ideas are verified by both analytical investigations and numerical simulations.





Provides the first book related exclusively to the problem of multi-cell fault detection by multi-run tests in memory testing process;

Presents practical algorithms for design and implementation of efficient multi-run tests;

Demonstrates methods verified by analytical and experimental investigations.

LISÄÄ OSTOSKORIIN
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
Tilaustuote

Tilaustuote

Tämän tuotteen tilaamme kustantajalta tai tukkurilta varastoomme. Saatavuusarvio on tuotekohtainen. Lähetämme toimitusvahvistuksen heti, kun tuote on toimitettu varastoltamme rahdinkuljettajalle.

Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 1-3 viikossa.
Multi-run Memory Tests for Pattern Sensitive FaultsSuurenna kuva
Kansikuva tuotteelle