La g?n?ration de d?fauts de rayonnement par irradiation d'?lectrons MeV de haute ?nergie de la structure Si-SiO2 de type n et p avec diff?rents types d'oxydes a ?t? ?tudi?e. Les changements morphologiques de l'oxyde de SiO2 pendant l'irradiation d'?lectrons MeV ont ?t? observ?s par l'AFM. Les structures Si-SiO2 implant?es avec des ions Si+ avant et apr?s l'irradiation d'?lectrons MeV sont pr?sent?es. La redistribution des atomes d'oxyg?ne et de silicium et la g?n?ration de nanocristaux de Si pendant l'irradiation d'?lectrons MeV ont ?t? observ?es par les techniques RBS/C et AFM respectivement. Les propri?t?s optiques, la photoluminescence et les ?tudes spectroscopiques des films de SiOx irradi?s par des ?lectrons MeV sont ?galement pr?sent?es.