Foi estudada a gera??o de defeitos de irradia??o por irradia??o electr?nica MeV de alta energia de estrutura Si-SiO2 do tipo n e p com diferentes tipos de ?xidos. As altera??es morfol?gicas do ?xido de SiO2 durante a irradia??o dos electr?es do MeV foram observadas pela AFM. As estruturas de Si+ i?es implantadas de Si-SiO2 antes e depois da irradia??o dos electr?es MeV s?o apresentadas. A redistribui??o dos ?tomos de oxig?nio e sil?cio e a gera??o de nanocristais de Si durante a irradia??o dos electr?es MeV foi observada pelas t?cnicas RBS/C e AFM, respectivamente. As propriedades ?pticas, a fotoluminesc?ncia e os estudos espectrosc?picos das pel?culas de SiOx irradiadas com electr?es MeV s?o tamb?m realizados.